当前位置:新闻中心
青岛LED工矿灯的外延材料
2017年05月26日

青岛LED工矿灯的制造通常包含材料制备、芯片制造和封装3个基本过程。在材料制备过程中,需要在衬底(基片)材料上用外延法生长一定厚度的半导体PN纺层。外延材料是LED的核心部分。是制造LED的基石,对LED的性能起着关键的作用。外延材料种类很多,下面介绍其中儿种。

青岛LED工矿灯AIGalnP
四元系化合物半导体材料A1InGaP能发射红光(625nm)、橙光(611nm)和黄光(59Onm)。是目前制造这一滋长范国的高亮度LED的主要材料。四元化合物的级分比例可以表示为(AI,Ga,节)"In,。。"P。其中x,y是化合物材料组分的摩尔比,当y约为0。5时,外延材料品格与GaAs衬底材料能很好匹配,在GaAs上生长AIGalnP外延材料,是一种质量很好的异质外延;当组分比x在0-1之间变化时,其祭w宽度(带隙)在1。899-2。562eV之间变化,当x<0。65时。跃迁以直接带隙为主,内量子效率较高,产生的滋长对应于红光和货光。

AIGaInP半导体的N型材料可通过掺入Te或Si施主杂质获得。p型材料则可通过掺入Zn或Mg受主杂质获得。外延多采用有机物化学气相淀积工艺(MOCVI孙,能够对级分和掺杂进行精确地控制,并把杂质污染控制到最低。
青岛LED工矿灯GaN

氮化鲸WaN)是f创作自光LED的理想材料,但制造GaN的单晶材料非常困难,且价格很高。外延时,广泛采用两步生长法,先在500-600-C下生长一层很薄的GaN和AlN层作为缓冲,再在较高的温度下生长GaN外延层。